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2020年6月【Cree(WolfSpeed)】SiCデバイス(MOSFET,ダイオード)

【650V SiC MOSFET】 最新の第3世代セル構造を適用した650Vのシリコンカーバイド
MOSFETを2製品をリリースしました。 第3世代シリコンカーバイドMOSFETシリーズは従来品と
比較し、オン抵抗を30%低減、高温時のオン抵抗上昇を極限に抑制し、電流定格も20%増加しています。
また、ドライブ電圧を15Vとし使いやすさが向上しています。 650VシリコンカーバイドMOSFET
ファミリーは、導通損失、スイッチング損失を最小にし、産業用の電力変換器をより高効率に、
小型化、軽量化に貢献します。シリコンMOSFETに比べ、 スイッチング損失75%減、導通損失1/2、
電力密度3倍の性能を有しています。 各種電源 (AC/DC, DC/DC, DC/AC)、太陽光発電,、UPS、
蓄電システム、EV用充電器や補助電源などの産業機器向けアプリケーションに最適です。

【650V SiC ショット―キーダイオード】 第6世代シリコンカーバイド・ショットキーダイオードは、
クラス最高の低順方向電圧(VF=1.27v)を実現しています。また、第3世代から採用しているMPS
(Merged PiN Schottky)構造を継承し、高いサージ電流耐量を有し、長期的信頼性が高いという特徴も
有しています。
4仕様の製品をリリースいたしました。上記MOSFETと組み合わせていただくことで、さらなら高効率、
小型化を実現することが可能です。

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