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2020年6月【Cree(WolfSpeed)】SiCデバイス(MOSFET,ダイオード)

【650V SiC MOSFET】 最新の第3世代セル構造を適用した650Vのシリコンカーバイド MOSFETを2製品をリリースしました。 第3世代シリコンカーバイドMOSFETシリーズは従来品と 比較し、オン抵抗を30 […]

2020年4月【Cree(WolfSpeed)】Cree(WolfSpeed) SiCデバイス(MOSFET,ダイオード)

【650V SiC MOSFET】 最新の第3世代セル構造を適用した650VのシリコンカーバイドMOSFETを2製品をリリースしました。 第3世代シリコンカーバイドMOSFETシリーズは従来品と比較し、オン抵抗を30%低 […]

2019年9月【WolfSpeed(Cree)】SiCパワーデバイス(Sic MOSFET、SiC ショットキーDiode)

Cree(Wolfspeed)では次世代パワーデバイスのひとつであるシリコンカーバイト(SiC)構造デバイスを用いた、950v~1700vまでのSiCMOSFETやSiCショットキーDiodeのラインアップを取り揃え、従 […]

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