2019年9月【WolfSpeed】SiCパワーデバイス（Sic MOSFET、SiC ショットキーDiode）

Cree(Wolfspeed)では次世代パワーデバイスのひとつであるシリコンカーバイト（SiC)構造デバイスを用いた、９５０ｖ～１７００ｖまでのSiCMOSFETやSiCショットキーDiodeのラインアップを取り揃え、従来のIGBTデバイスでは実現できない低On抵抗、高耐圧などを実現でき、車載インバータモータや高耐圧産業系インバータ、大電力AC電源などの効率改善、小型化に貢献します。
また、SiC－FETの特性を出すためのSiC－MOSFETに対応した、ゲートドライバーモジュールや、SiCデバイスの評価キット、Refキットも多数揃え、システムへの導入に向けた環境も取り揃えています。

【SiC_ショットキーDiode特性例】

【SiC_MOSFET特性例】

各シリーズのQgdは製品ごとに異なります。
性能指標（FOM:Figure Of Merit）を算出される場合は、お問い合わせください。